四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理的多用途綜合測(cè)量設(shè)備，該儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó)A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的，專用于測(cè)試半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)的專用儀器。
四探針測(cè)試儀的測(cè)試注意事項(xiàng)：
探頭由四根探針阻成，要求四根探針頭部的距離相等。四根探針由四根引聯(lián)接到方阻測(cè)試儀上，當(dāng)探頭壓在導(dǎo)電薄膜材料上面時(shí)，方阻計(jì)就能立即顯示出材料的方阻值，具體原理是外端的兩根探針產(chǎn)生電流場(chǎng)，內(nèi)端上兩根探針測(cè)試電流場(chǎng)在這兩個(gè)探點(diǎn)上形成的電勢(shì)。因?yàn)榉阶柙酱螅a(chǎn)生的電勢(shì)也越大，因此就可以測(cè)出材料的方阻值。需要提出的是雖然都是四端測(cè)試，但原理上與圖二所示用銅棒測(cè)方阻的方法不同。
因電流場(chǎng)中僅少部分電流在：(倍以上。)要求探針頭之間的距離相等，否則就要產(chǎn)生等比例測(cè)試誤差。)理論上講探針頭與導(dǎo)電薄膜接觸的點(diǎn)越小越好。但實(shí)際應(yīng)用時(shí)，因針狀電極容易破壞被測(cè)試的導(dǎo)電薄膜材料，所以一般采用圓形探針頭。
如果材料是蒸發(fā)鋁膜等，蒸發(fā)的厚度又太薄的話，形成的鋁膜不能均勻的連成一片，而是形成點(diǎn)狀分布，此時(shí)方塊電阻值會(huì)大大增加，與通過(guò)稱重法計(jì)算的厚度和方阻值不一樣，因此，此時(shí)就要考慮到加入修正系數(shù)。
測(cè)試程序控制四探針測(cè)試儀進(jìn)行測(cè)量并實(shí)時(shí)采集兩次組合模式下的測(cè)試數(shù)據(jù)，把采集到的數(shù)據(jù)在計(jì)算機(jī)中加以分析，然后把測(cè)試數(shù)據(jù)以表格，圖形直觀地記錄、顯示出來(lái)。用戶可對(duì)采集到的數(shù)據(jù)在電腦中保存或者打印以備日后參考和查看，還可以把采集到的數(shù)據(jù)輸出到Excel中，讓用戶對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行各種數(shù)據(jù)分析
更新時(shí)間：2022-03-30 
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